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2024医用设备能力考评考试宝典MRI医师冲刺密卷案例分析题答案+解析(J7)

来源: 考试宝典    发布:2024-04-16   [手机版]    

2024医用设备能力考评考试宝典MRI医师冲刺密卷案例分析题答案+解析(J7)导言】考试宝典发布2024医用设备能力考评考试宝典MRI医师冲刺密卷案例分析题答案+解析(J7),更多MRI医师全国医用设备使用人员业务能力考评的答案解析请访问考试宝典全国医用设备使用人员业务能力考评频道。

1. [单选题]反转恢复脉冲序列,施加的第一个脉冲是

A. 180°
B. 90°
C. 270°
D. 50°
E. 25°


2. [单选题]关于2D-TOF与3D-TOF的区别,不恰当的是

A. 2D-TOF成像时间短
B. 2D-TOF空间分辨率较差
C. 3D-TOF空间分辨率高
D. 3D-TOF有效防止信号丢失
E. 2D-TOF流入饱和效应明显


3. [单选题]不属于MR检查禁忌证的是

A. 安装心脏起搏器者
B. 动脉瘤术后的动脉夹存留者
C. 妊娠3个月内
D. 做钡灌肠检查后1小时内患者
E. 体内弹片存留者


4. [单选题]MRI诊断早期股骨头缺血性坏死的病理基础是

A. 关节软骨坏死
B. 骨质增生硬化
C. 缺血后骨髓的变化
D. 骨膜反应
E. 关节积液


5. [单选题]关于相位对比法原理的叙述,错误的是

A. 利用梯度磁场中血流诱发的相位偏移
B. 突出相位的作用,抑制流入增强效应
C. 在选层梯度与读出梯度之间施加双极流动编码梯度
D. 垂直于双极流动编码梯度方向的流体产生运动性相位改变
E. 必须在X、Y和Z方向重复流动编码


6. [单选题]CT基本设备中不包括

A. 描架、扫描床和X线发生系统
B. 计算机和数据采集、阵列处理系统
C. 操作台和图像显示系统
D. 独立诊断台和独立计算机设备系统
E. 照相机和其他用于资料的存储设备


7. [单选题]X线诊断矽肺最主要的征象是

A. 肺纹理增强
B. 间隔线出现
C. 肺野呈"磨玻璃"状
D. 肺间质呈网状
E. 两肺多发结节影


8. [单选题]SE序列相位一致,是指

A. 180°脉冲激励时
B. 180°脉冲激励后
C. 质子群所有质子在同一方向,同步自旋
D. 质子群所有质子在同一方向,不同步自旋
E. 质子群所有质子在不同方向,不同步自旋


9. [单选题]关于永磁型磁体的特性描述,错误的是

A. 由高剩磁的材料组成
B. 轭型永磁体可以做成开放式
C. 永磁型磁体不需要电流和制冷剂
D. 对环境温度没有要求
E. 杂散场小


10. [单选题]多层螺旋CT与单层螺旋CT的最大区别是

A. X线束为锥形
B. 可获得人体的容积数据
C. 使用滑环技术
D. 扫描框架采用短几何结构
E. 可进行连续数据采集


11. [单选题]Gd-DTPA增强,可用于

A. 鉴别水肿与病理组织
B. 由于碘过敏不能进行CT增强者
C. 在一定程度上区别肿瘤性病变与非肿瘤性病变
D. 发现脑膜病变
E. 以上选项均正确


12. [单选题]快速小角度激发脉冲序列,可以

A. 增加横向磁化矢量
B. 去除横向磁化矢量
C. 稳定横向磁化矢量
D. 去除纵向磁化矢量
E. 减少纵向磁化矢量


13. [单选题]关于球后炎性假瘤的叙述,下列哪一项不对

A. 单侧突眼最常见的原因之一
B. 肾上腺皮质激素治疗的疗效差
C. 泪腺型预后较好
D. 眼外肌型者肌腱、肌腹肿大
E. 不宜手术


14. [单选题]定义SE序列去相位,是指

A. 180°脉冲激励时
B. 180°脉冲激励后
C. 90°脉冲激励时
D. 磁场不均匀引起去相位
E. 横向整体信号增大


15. [单选题]神经纤维瘤病最常见、最特征的脑内异常是

A. 视神经瘤
B. 多发脑膜瘤
C. 双侧听神经瘤
D. 三叉神经瘤
E. 室管膜瘤


16. [单选题]肺内错构瘤的特征性X线表现是

A. 孤立圆形阴影
B. 肿块边缘清楚
C. 肿块边缘可分叶
D. 肿块内见爆玉米花样钙化
E. 肿块内可形成空洞


17. [单选题]SE序列,两个90°脉冲之间的时间为

A. TE
B. TI
C. 2TI
D. T′
E. TR


18. [单选题]气管隆突左、右主支气管正常分叉角度范围一般为

A. 45°~60°
B. 50°~70°
C. 50°~80°
D. 55°~90°
E. 60°~100°


19. [单选题]关于傅立叶变换的叙述,错误的是

A. 能处理分析频率信号
B. 能将信号从时间域变换到频率域
C. 不能将信号从频率域变换到时间域
D. MR信号中包含有对应空间位置的频率信息
E. 能分解MR信号中每个体素的频率和相位


20. [单选题]与X线的产生无关的因素是

A. 电子源
B. 高真空度
C. 高压电场
D. 电子的骤然减速
E. 阳极散热


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