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2024口腔医学技术(师)学卫生初级资格人机对话考试试题(E5)

来源: 考试宝典    发布:2024-02-24   [手机版]    

2024口腔医学技术(师)学卫生初级资格人机对话考试试题(E5)导言】考试宝典发布2024口腔医学技术(师)学卫生初级资格人机对话考试试题(E5),更多口腔医学技术(师)初级卫生专业技术资格考试的考试试题请访问考试宝典初级卫生专业技术资格考试频道。

1. [单选题]相对的颊黏膜上有腮腺导管口的牙是(  )。

A. 下颌第一磨牙
B. 上颌第一磨牙
C. 上颌第三磨牙
D. 上颌第二磨牙
E. 上颌中切牙


2. [单选题]患者诉右下后牙食物嵌塞,临床:右下78间食物嵌塞,8正位且无对颌牙,请分析最可能是下列哪项原因?(  )

A. 外溢道消失
B. 对颌牙的牙尖过于高陡
C. 两牙边缘嵴高度不一致
D. 牙间乳头退缩


3. [单选题]关于弯制尖牙卡环的要求,错误的是

A. 卡环臂端置于唇面近中,以利用倒凹和利于美观
B. 卡环臂贴靠牙龈缘,有利于美观和固位
C. 卡环臂端绕过轴面角到达邻面
D. 卡环体部要高,以增加环抱力
E. 卡环体部的位置不能影响排牙


4. [单选题]琼脂复制模型时的灌注温度是(  )。

A. 60℃
B. 40℃
C. 52~55℃
D. 42~46℃
E. 65~70℃


5. [单选题]决定基牙观测线位置的是

A. 牙长轴
B. 外形高点线
C. 导线
D. 支点线
E. 就位道


6. [单选题]对Ⅱ型观测线的基牙,描述正确的是

A. 近缺隙侧倒凹区小,远离缺隙侧倒凹区大
B. 近缺隙侧倒凹区小,远离缺隙侧倒凹区也小
C. 近缺隙侧倒凹区大,远离缺隙侧倒凹区小
D. 近缺隙侧倒凹区大,远离缺隙侧倒凹也大
E. 近缺隙侧与远离缺隙侧均无倒凹区


7. [单选题]下述不是造成铸件表面粗糙的原因的是(  )。

A. 熔模本身及熔模表面活性剂使用不正确
B. 包埋料的粉液比例不当,颗粒分布不均匀
C. 铸型烘烤焙烧不正确
D. 合金过熔
E. 铸造后铸型冷却过快


8. [单选题]可摘局部义齿基托伸展的范围,下列错误的是

A. 应与天然牙轴面的倒凹区轻轻接触
B. 上颌远中游离者应伸至翼下颌切迹,远中颊角应覆盖上颌结节
C. 下颌远中游离者应覆盖磨牙后垫1/3~1/2
D. 缺牙区若骨质缺损应当扩大,若有骨突应适当缩小或作缓冲
E. 缺牙多应适当大些,反之应小些


9. [单选题]真空搅拌机主要用于(  )。

A. 揽拌包埋料
B. 搅拌石膏材料
C. 搅拌琼脂
D. 在搅拌石膏及包埋料同时将搅拌物中空气抽出,以减少气泡
E. 搅拌瓷粉


10. [单选题]与上颌窦关系最密切的一组牙是(  )。

A. 上颌磨牙
B. 上颌尖牙
C. 上颌前磨牙
D. 下颌前磨牙
E. 下颌磨牙


11. [单选题]哪一项是颌面部感染切开引流的指征?(  )

A. 局部皮肤发红、发亮,有持续性疼痛
B. 局部肿胀、疼痛、拒按
C. 局部有凹陷性水肿,可触及波动感
D. 局部有明显肿胀,伴有高热
E. 局部肿胀明显,伴有张口受限


12. [单选题]最早进入临床实用化的生物陶瓷是(  )。

A. 磷酸三钙陶瓷
B. 氧化铝陶瓷
C. 氧化锆陶瓷
D. 羟基磷灰石陶瓷
E. 生物玻璃陶瓷


13. [单选题]冠核熔模工作前模型处理,以下各项内容正确的是

A. 去除模型根面边缘石膏瘤
B. 观察根管内有无倒凹
C. 去除根管内残余印模材料
D. 于根面及根管内涂布分离剂
E. 以上均是


14. [单选题]具有促进根尖钙化、封闭根尖孔作用的根管充填材料是

A. 氧化锌丁香油糊剂
B. 根充糊剂
C. 碘仿糊剂
D. 氢氧化钙糊剂
E. 牙胶尖


15. [单选题]全口义齿基托边缘与唇颊沟、舌沟、上颌后堤区及下颌磨牙后垫处相接触的区域属于(  )。

A. 主承托区
B. 副承托区
C. 边缘封闭区
D. 缓冲区
E. 翼缘区


16. [单选题]位于上颌硬区的一侧或两侧的连接杆是(  )。

A. 前腭杆
B. 中腭杆
C. 后腭杆
D. 正中腭杆
E. 侧腭杆


17. [单选题]以下各种根管充填材料,没有消毒抑菌作用的是

A. 牙胶尖
B. 银尖根充糊剂
C. 氧化锌丁香油糊剂
D. 氢氧化钙糊剂
E. 酚醛树脂


18. [单选题]采用冠内附着体的基牙垂直高度应(  )。

A. >3mm
B. >4mm
C. >5mm
D. >6mm
E. >7mm


19. [单选题]义齿软衬中如软衬材料厚度大于2mm,最可能出现的问题是

A. 义齿变形
B. 软衬材料聚合不全
C. 义齿压痛
D. 软衬材料与基托树脂结合不良
E. 义齿固位力下降


20. [单选题]人造石不如超硬石膏性能优越的主要原因是其(  )。

A. 混水率低
B. 晶体纯度高
C. 晶体表面积大
D. 晶体不变形
E. 以上都不是


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